RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3098
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link