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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
29
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
29
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3291
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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