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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
2489
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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