RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
50
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
50
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2064
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link