Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Puntuación global
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Puntuación global
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    17 left arrow 50
    En 66% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    22.8 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.4 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    17 left arrow 50
  • Velocidad de lectura, GB/s
    22.8 left arrow 10.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    15.4 left arrow 7.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3391 left arrow 2064
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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