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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
60
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
60
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
2511
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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