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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
103
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
103
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1520
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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