Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.2 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 34
    En -42% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.2 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 12.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2636 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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