RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
61
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
61
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2113
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link