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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
61
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
61
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2113
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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