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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2636
2672
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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