RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2672
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link