RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2443
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link