RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2443
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link