RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link