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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2636
3343
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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