RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
3343
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link