RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3224
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link