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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3205
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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