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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
16.3
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3205
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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