RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
12.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3460
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link