RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2416
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link