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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3402
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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