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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
68
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2007
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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