RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
12.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
46
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2660
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link