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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2675
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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