RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2675
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link