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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3288
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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