RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
62
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link