Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Puntuación global
star star star star star
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Puntuación global
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 71
    En 56% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    31 left arrow 71
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 7.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1990 left arrow 1757
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones