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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
71
Intorno 56% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
71
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
1757
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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