Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Punteggio complessivo
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Punteggio complessivo
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 71
    Intorno 56% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.9 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    31 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1990 left arrow 1757
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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