RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2394
3110
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link