RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3936
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link