RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
17.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
3936
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link