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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3037
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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