RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3037
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link