RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2994
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link