RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2994
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link