RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2994
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link