RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2994
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link