RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
67
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2030
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link