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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2359
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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