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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
42
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2359
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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