RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
43
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2928
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link