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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2550
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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