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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.2
13.8
写入速度,GB/s
9.4
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2550
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Mushkin MES4S213FF16G28 16GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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