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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2569
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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