RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2569
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link