RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link