RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3023
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link