RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
3023
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link