Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 51
    Около -104% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.2 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.6 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2049 left arrow 3023
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения