RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2049
3023
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link