Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 51
    Wokół strony -104% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.9 left arrow 10.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 7.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    51 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.2 left arrow 15.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.6 left arrow 12.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2049 left arrow 3023
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania