RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3172
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link